Zth-Messung (SiC) - Zth Messtechnik - transiente thermische Impedanz von Leistungshalbleitern - thermisch-elektrische Simulation

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Zth-Messung (SiC)

Beispiele
In der Leistungselektronik geht der Trend immer mehr in Richtung Siliziumkarbid (SiC) als Halbleitermaterial. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid haben
dank überlegener Materialeigenschaften gegenüber Silizium mehrere Vorteile wie niedrigere Schaltverluste, höhere Schaltgeschwindigkeiten, eine bessere
thermische Leitfähigkeit sowie eine höhere Durchbruchfeldstärke.

Das nachfolgende Beispiel zeigt eine Zth-Messung an einem SiC Power MOSFET.


Beispiel: Zth-Messung an einem 90A/1200V SiC Power MOSFET

  
Zth-Steuerprotokoll (40A-Zth Meßplatz)

Datum: 28.01.2019  Uhrzeit: 14:11:51

Zth-Messung an einem 90A/1200V SiC Power MOSFET

Heizen:  Body-Diode
Messen: Body-Diode

Kühlkörper: geschlossener Wasserkühler
Wärmeleitschicht: mit Grafit gefüllte Hochleistungs-Silikonfolie, Dicke: 200µm
Kühlmedium: Hauskühlwasser

Datei: 90A-SiC-MOSFET.dat

Aufheizzeit: 30sec   Abkühl-Meßzeit: 30sec

Pv = 100,011W    Ulast = 4,050V    Ilast = 24,70A

Imess = 0,04568A    Ug = -10,006V

Abkühlphase:
Kanal 5: Anpreßkraft = 99,86N
Kanal 6: Wasserdurchfluß = 15,25l/min
Almemo: Tcase = 6,40°C

Aufheizphase:
Kanal 5: Anpreßkraft = 99,91N
Kanal 6: Wasserdurchfluß = 15,25l/min
Almemo: Tcase = 23,17°C

Kalibrierwert: T = 6,40°C     U = 2,6532V
Kalibrierwert: T = 31,53°C   U = 2,5931V
Kalibrierwert: T = 56,67°C   U = 2,5357V

Zth-Auswertprotokoll

Datum: 28.01.2019  Uhrzeit: 17:21:19

Kurve von Datei: 90A-SiC-MOSFET.dat

Spannung/Temperatur-Umrechnung:
Tabelle von Datei: 90A-SiC-MOSFET.pk1

Verlustleistung (therm. Gleichgewicht) = 100,011W

Ta(Meßk.) = 6,37°C                    Ta(Auswertk.) = 6,37°C        
Tj(Meßk.) =  54,04°C                  Tj(Auswertk.) = 54,10°C       

Rthja(Meßk.) =  0,476703K/W      Rthja(Auswertk.) = 0,477240K/W
Rthca(Meßk.) = 0,167682K/W      Rthca(Auswertk.) = 0,167682K/W
Rthjc(Meßk.) =  0,309022K/W      Rthjc(Auswertk.) =  0,309559K/W

Erster Meßpunkt = 9,5400e-06s,   letzter Meßpunkt = 3,0000e01s

Partialbruch-Netzwerk (Foster):
Rj, Cj, und Tau-Werte ab t(0)
Rj (K/W)            Cj (Ws/K)           Tau (s)
0,005112101      0,017681602      0,000090390
0,058032216      0,016462422      0,000955351
0,063596560      0,061387473      0,003904032
0,107753821      0,224079046      0,024145373
0,115536616      0,966232553      0,111635240
0,102589523      4,609384487      0,472874558
0,023241496      92,38472272      2,147159208
0,001378006      8363,157546      11,52447732

äquivalentes Kettenbruch-Netzwerk (Cauer):
Rj, Cj, und Tau-Werte ab t(0)
Rj (K/W)            Cj (Ws/K)           Tau (s)
0,027981337      0,007177932      0,000200848
0,081157047      0,007010224      0,000568929
0,076992853      0,057176949      0,004402216
0,118928719      0,178525533      0,021231813
0,102076545      1,043926870      0,106560448
0,056742233      7,099203403      0,402824655
0,012545742      162,8499781      2,043073737
0,000815863      13914,44479      11,35228689
Vom Steuerprogramm erzeugte Protokolldatei 90A-SiC-MOSFET.pk1                               Vom Auswertprogramm erzeugte Protokolldatei 90A-SiC-MOSFET.pk2

Die aufgenommene Usd-Kurve nach Abschalten des Laststromes bei einem Messstrom von 46mA

Aus der Usd-Kurve und den Kalibrierwerten (Datei 90A-SiC-MOSFET.pk1) umgerechnete T(Junction-Ambient)-Abkühlkurve

Gemessene Abkühlkurve ΔTja (Meßkurve blau) im Vergleich zum Auswertergebnis (Auswertkurve rot) aus der Partialbruch-Netzwerk-Tabelle
(Datei 90A-SiC-MOSFET.pk2)

Zth-Diagramm: Zth=f(tp), Parameter D=tp/T



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