Schaltmessung (Doppelpuls)
Beispiele
Einen großen Teil der Gesamtverluste eines Wechselrichters machen die Schaltverluste der Halbleiter aus. Die genaue Bestimmung dieser Verluste ist wichtig, um die
Auswirkungen verschiedener Schaltfrequenzen in der Simulation ermitteln zu können. Zur Charakterisierung wird üblicherweise eine Tiefsetzstellerschaltung im
Doppelpulsbetrieb verwendet.
Beispiel: Schaltverhalten von einem IGBT in einem 3-Level-NPC1-Phasenmodul 300A/650V mit induktiver Last
Einschaltverhalten: Uce=400V, Ic=300A, T=150°CX: 200ns/divUce: 100V/div Ic: 80A/div Uge: 5V/div P: 5kW/div Eon: 6,23mJ
Ausschaltverhalten: Uce=400V, Ic=300A, T=150°CX: 200ns/divUce: 100V/div Ic: 50A/div Uge: 5V/div P: 20kW/div Eoff: 33,79mJDurch die parasitäre Streuinduktivität im Modul muss durch „Active-Clampling“die Uce-Spannung auf 600V begrenzt werden.
Beispiel: Schaltverhalten von einem IGBT in einem 2-Level-Phasenmodul 300A/1200V mit induktiver Last
Einschaltverhalten: Uce=800V, Ic=300A, T=150°CX: 200ns/divUce: 200V/div Ic: 80A/div Uge: 5V/div P: 50kW/div Eon: 77,83mJ
Ausschaltverhalten: Uce=800V, Ic=300A, T=150°C
X: 200ns/divUce: 200V/div Ic: 60A/div Uge: 5V/div P: 50kW/div Eoff: 56,33mJ